(dielectric punch-through) Die dauerhafte Zerstürung eines MOS-Transistors, die entsteht wenn die Gate-Substrat-Spannung so hoch wird, dass leitende Kanäle im Oxid erzeugt werden. Besonders ESD gibt leicht Anlass zu D.
(dielectric punch-through) Die dauerhafte Zerstrung eines MOS-Transistors, die entsteht wenn die Gate-Substrat-Spannung so hoch wird, dass leitende Kanle im Oxid erzeugt werden. Besonders ESD gibt leicht Anlass zu D.